<span style='color:red'>纳芯微</span>发布新一代车规级PWM控制器NSR2260x-Q1
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纳芯微发布新一代车规级PWM控制器NSR2260x-Q1

　　随着汽车智能化程度不断提高，电源控制系统所处的工况愈加复杂，设计正面临以下关键挑战：　　• 输入波动更剧烈：冷启动、负载切换及瞬态冲击频繁出现，对控制器的动态响应速度与稳压能力提出更高要求;　　• EMI抑制难度加大：多模块并行工作，固定频率开关易在特定频段形成噪声叠加，增加辐射与传导干扰风险;　　• 可靠性要求更严苛：长期处于高温、高振动、高应力等车载环境，对控制器的稳定性提出更高标准。　　纳芯微全新推出的NSR2260x-Q1系列车规级PWM控制器，支持4.5V~50V宽输入电压范围，采用峰值电流模式控制架构，支持SEPIC、Flyback、Boost等多种拓扑结构，在宽输入电压范围与优异EMI性能之间实现平衡，为汽车电源系统提供高效、可靠的辅源控制方案!　　封装与选型　　NSR2260x-Q1系列提供两种封装选项，兼顾高功率密度设计与散热性能：　　• 3.0 mm ×2.0 mm DFN12(Wettable Flank结构，便于AOI自动光学检测，更好判断焊接质量)　　• 5.0 mm × 4.4 mm HTSSOP14(带引脚Lead-type封装)　　该系列产品符合AEC-Q100 Grade 1车规认证要求，可广泛应用于车载OBC&DCDC、主驱逆变器、汽车热管理、高级驾驶辅助系统(ADAS)等场景。　　NSR2260x-Q1系列产品选型表　　产品亮点　　宽输入与高精度控制，满足复杂工况下的稳压需求　　◆ 支持4.5V~50V宽输入电压范围，适应多样化车载电源环境，确保系统在电压波动下稳定运行;　　◆ 可调开关频率范围100kHz至1000kHz，适配不同功率等级与拓扑结构设计;　　◆ 采用峰值电流模式控制架构并内置可编程斜坡补偿机制，在高占空比工况下有效抑制次谐波振荡，提升动态响应与负载稳定性;　　◆ 提供1V ±1.5% 的高精度反馈参考电压，实现更精准的输出控制与稳压性能。　　强劲驱动能力，兼顾效率与系统兼容性　　◆ 内置驱动器，峰值驱动电流高达1.5A，支持快速开关切换以提高能量转换效率;　　◆ 3.8V欠压锁定阈值(VCC UVLO)与主流中压MOSFET栅极电压匹配，为系统提供充足驱动裕量与可靠性;　　多重保护机制，确保系统安全可靠运行　　◆ 集成逐周期限流、短路、过压及过温保护，提升控制器在异常状态下的安全性;　　◆ 支持输出过载/输出短路打嗝(Hiccup)模式过载保护(-2/-4/-6尾缀型号支持)，在连续过流后自动关断并自恢复，提高在异常工况下的系统可靠性。　　- 触发条件：当连续64个开关周期检测到CS限流则会触发打嗝(Hiccup)保护，芯片保持32768个周期停止开关动作;当触发打嗝保护后，在不满足退出条件时，若累计有64个开关周期检测到CS限流，则仍会启动打嗝(Hiccup)保护。　　灵活软启动与低功耗设计，兼顾系统能效与保护　　◆ 通过SS引脚外接电容即可灵活设定软启动时间，控制输出上升斜率，在上电与启动阶段有效抑制浪涌电流，保护功率器件与后级负载稳定启动;　　◆ 具备低静态电流与低关断电流(关断电流IQ：1.28μA)特性，有效降低待机能耗，支持车辆待机、休眠与低负载运行模式。　　完整车载辅源解决方案　　赋能高可靠性、高集成度、高效率电源系统设计　　随着NSR2260x-Q1系列的推出，纳芯微进一步完善了车规级PWM控制器产品矩阵，持续强化在车载电源控制领域的技术布局。除汽车应用外，纳芯微电源管理产品亦广泛布局工业与服务器电源等场景，满足不同系统对高功率密度、低EMI与长寿命运行的严苛要求。
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发布时间：2025-11-05 10:02 阅读量：210 继续阅读>>
<span style='color:red'>纳芯微</span>推出集成隔离电源的隔离接口NSIP93086和NSIP9042系列
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纳芯微推出集成隔离电源的隔离接口NSIP93086和NSIP9042系列

　　纳芯微今日宣布推出集成隔离电源的隔离接口NSIP93086和NSIP9042，其中NSIP93086集成了RS485收发器，为NSIP83086的升级款;NSIP9042集成了自带振铃抑制功能的CAN SIC收发器，为NSIP1042的升级款。　　新发布的器件可广泛适用于光伏、储能、充电桩、电力设备、服务器电源等对尺寸、可靠性、电磁兼容等方面具有高要求的系统应用。　　三合一集成设计，大大降低PCB占板空间　　在传统方案中，数字隔离器和接口收发器均需单独配置电源进行供电，无论是采用传统的电源模块还是分立的电源IC，都会增加PCB占板面积，并且增加系统设计难度和可靠性风险。　　纳芯微NSIP93086和NSIP9042采用集成数字隔离器、接口、电源三合一的设计，相比采用电源模块的传统设计，可将PCB面积降低至少三分之二，高度更是仅为电源模块的五分之一，大大降低了占板空间。不同隔离通信方案的PCB尺寸对比　　NSIP93086和NSIP9042集成的变压器还拥有业界领先的电源转换效率，在500mW功率下，可达到49%的转换效率。此外，内置变压器的设计不仅降低了成本和设计难度，还减少了因外置变压器或电源模块带来的可靠性风险，为系统的持久稳定运行提供保障。　　接口方面，NSIP93086集成全双工/半双工的RS485收发器，传输速率为16Mbps;NSIP9042集成具有振铃抑制功能的CAN SIC收发器，传输速率为5Mbps，高性能接口的集成可显著助力降低信号延迟，减少传输误码，进一步增强了系统的可靠性。　　RE性能大幅优化，轻松通过CISPR32 Class B测试　　无论是系统还是器件层面，电磁干扰(EMI)一直是高集成设计需要着重攻克的挑战之一，随着相关系统功率密度的提升，如何在日益有限的空间内，降低器件之间电磁干扰的互相影响，保证系统电路的稳定、可靠运行，成为工程师需要重点考虑的设计点。　　纳芯微NSIP93086和NSIP9042凭借已申请专利的EMI改善技术，实现了器件级RE (Radiated Emission，辐射发射)性能的大幅优化，在两层PCB板、外围电路无磁珠、无拼接电容，输入5V，带载100mA的测试条件下，NSIP93086和NSIP9042均可轻松通过CISPR32 Class B 测试，并保有裕量。外围电路的简化和业内卓越的EMI性能可大大降低系统BOM成本和设计调试难度，缩短终端产品的上市时间。　　出色的隔离性能，全面满足安规要求　　NSIP93086和NSIP9042采用纳芯微业内领先的电容隔离技术，隔离耐压高达5kVrms，CMTI高达100kV/μs，满足加强绝缘认证标准，可提供CQC、VDE、UL、TÜV等国内外主流认证机构的权威报告，助力用户简化系统设计和测试流程。　　NSIP93086和NSIP9042的爬电距离亦高达8.15mm，能够满足IEC 62477-1:2022标准中直流1500V、过电压等级I级、污染等级II、5000米海拔基本绝缘的应用需求。　　封装和选型　　纳芯微NSIP93086和NSIP9042采用SOW16、SOW20封装，可与纳芯微上一代产品以及竞品同类器件实现完全P2P引脚兼容，工程师在进行产品升级时，无需重新设计，极大地降低了设计难度和开发周期。NSIP93086和NSIP9042满足工规要求，工作温度均可达到-40℃~125℃。目前NSIP93086和NSIP9042已经量产。　　丰富的“隔离+”产品，满足多元化应用需求　　凭借在隔离技术方面的积累和领先优势，纳芯微提供涵盖数字隔离器、隔离采样、隔离接口、隔离电源、隔离驱动等一系列 “隔离+”产品。纳芯微正以全生态“隔离+”产品矩阵，为高压系统筑造安全可靠的防线：　　“+”代表增强安全：纳芯微“隔离+”产品提供超越基本隔离标准的安全等级，为客户系统构筑更坚固的高低压安全边界。　　“+”代表全产品生态：纳芯微以成熟的电容隔离技术IP为核心，拓展出包括数字隔离器、隔离采样、隔离接口、隔离电源、隔离驱动等完整产品组合，为客户提供隔离器件的一站式解决方案。　　“+”代表深度赋能应用：纳芯微“隔离+”产品可满足电动汽车高压平台、大功率光储充系统，以及高集成、高效率AI服务器电源等场景的核心需求，实现系统级安全、可靠与高效。
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发布时间：2025-11-05 09:53 阅读量：202 继续阅读>>
<span style='color:red'>纳芯微</span>：新品三连发！NSSine™实时控制MCU/DSP矩阵完善，覆盖高中低实时控制场景
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纳芯微：新品三连发！NSSine™实时控制MCU/DSP矩阵完善，覆盖高中低实时控制场景

　　在工业和能源领域，效率和控制精密度是核心诉求。纳芯微NSSine™系列实时控制 MCU/DSP 再添新成员：中端算力新品 NS800RT5075，高性价比新品 NS800RT1025、NS800RT1035 正式发布。至此，NSSine™系列已实现 “高端-中端-入门级” 全档位覆盖，全系搭载高性能 Cortex®-M7 内核与可配置逻辑模块(CLB)，集传统 MCU 的易用性与 FPGA 的灵活定制性于一体：强大的处理能力确保复杂算法(如FOC、数字电源补偿计算)能够在极短时间内完成，CLB则允许用户自定义逻辑，实现硬件级协处理，有效卸载CPU负担，为工业设备、能源系统提供前所未有的实时性与控制精度。　　NS800RT1025/1035 夯实高性价比阵营：高集成、易兼容，加速中小功率场景落地　　作为NSSine™系列入门级阵营的补充，NS800RT1025/1035 以高外设集成度 + 主流封装兼容，精准匹配对成本敏感、需求场景标准化的应用，助力工程师快速推进产品开发。　　NS800RT1025/1035 功能框图：　　NS800RT1025/1035采用高性能Cortex®-M7内核，最高主频可达200MHz，兼顾算力与功耗平衡，满足中小功率设备的实时控制需求;在外设上，内置2个12位ADC模块(采样率4.375Msps，最高支持21个ADC采样通道)、4对模拟比较器，14路PWM输出(包含4路最高分辨率可达到80ps的HRPWM);在通信接口方面，集成CAN2.0B、SPI、UART、LIN(支持UART功能)、PMBUS等工程师高频使用的通信接口，无需额外扩展芯片即可实现设备互联，降低系统整体成本和复杂度，加速产品开发上市;同时，NS800RT1025/1035兼容友好封装，采用采用 (L) LQFP 系列主流封装，9mm×9mm~14mm×14mm，可直接兼容现有硬件设计规则，降低改板成本。　　NS800RT5075 领衔中端算力：高算力、高可靠，攻克复杂工业场景难题　　NS800RT5075 提供更高主频、更大存储、更丰富外设，针对多通道信号处理、高可靠性控制等复杂场景设计，适配工业伺服、大功率电源、智能电网等高端应用。　　在处理性能上，NS800RT5075采用高性能Cortex®-M7内核，最高主频可达300MHz，搭配 DSP 指令与 FPU(浮点运算单元)，可极速运行多变量复杂算法，应对高密度实时任务;在安全存储配置方面，内部集成 1MB 双 bank Flash(支持 ECC 校验)、13KB数据Flash、512KB RAM(带ECC校验)，ECC 技术可实时检测并修正存储错误，为高安全可靠算力提供保驾护航;同时，NS800RT5075具备超强外设扩展能力，内置8个sigma-delta滤波器通道、4个CLB模块、3个12位ADC模块(4.375Msps，最高支持25个ADC采样通道)、8个模拟比较器、24路PWM输出(包含16路最高分辨率可达到124ps的HRPWM)，适配多传感器协同采集场景，并且支持更精细的功率调节与电机控制;通信接口包含CANFD、CAN2.0B、SPI、UART、PMBUS，以工程师最为熟悉的外设，服务创新应用。　　此外，NS800RT5075采用HLQFP高散热封装(最大176管脚)形式HLQFP，适配长时间高负载运行的工业环境。　　全档位覆盖，赋能工业能源领域创新　　随着中端算力型号 NS800RT5075、高性价比型号 NS800RT1025/1035 的发布，NSSine™系列实时控制 MCU/DSP 已全面完善 “高 / 中 / 入门级” 产品矩阵，实现全档位覆盖。以 “Cortex®-M7+CLB” 的融合技术、差异化的功能配置，为工业自动化、能源管理、汽车电子等领域提供 “精准匹配、灵活选型” 的解决方案。　　整个产品矩阵均基于Arm Cortex-M7内核，同时，三个系列产品的性能边界十分清晰，主要通过“算力、存储、外设”三个维度区分：　　(1)算力：高端产品主频400MHz，支持eMath核(完整数学运算加速);中端产品主频300MHz，支持eMath核;高性价比产品主频200MHz，支持mMath核(精简版数学加速，仅保留核心运算);　　(2)存储：高端产品搭配256K TCM + 1MB eFlash，中端产品128K TCM + 512KB eFlash，高性价比产品80K TCM + 256KB eFlash;　　(3)外设：高端产品支持EtherCAT、CAN-FD等工业总线及更多ADC/PWM通道;中端产品支持CAN-FD，精简工业总线;高性价比产品仅保留SPI、UART等基础接口，满足中小功率场景需求。　　此外，纳芯微从开发工具、应用方案、软件与文档支持三个维度打造了完备的产品生态，已形成从头部到长尾的全生态服务体系，并在风光储能、工业电机、汽车电子等领域实现突破。未来，随着"边缘AI+实时控制"战略的推进，纳芯微将引领实时MCU应用进入智能化新时代，为风光储、新能源汽车、工业自动化等关键领域提供更强大的技术支撑，在巩固现有国产替代成果的同时，开拓全新增长曲线。
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发布时间：2025-10-30 09:53 阅读量：323 继续阅读>>
<span style='color:red'>纳芯微</span>从600V到2000V：“隔离+” 如何赋能光伏与储能系统升级？
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纳芯微从600V到2000V：“隔离+” 如何赋能光伏与储能系统升级？

　　2025年，“2000V”成为光伏与储能领域的热词。继600V、1000V、1500V之后，行业正加速迈向更高电压平台。随着器件耐压、绝缘与标准体系的完善，更高母线电压正成为提升功率密度与系统经济性的关键方向。　　电压提升的背后，安全挑战同步升级。隔离芯片作为系统的核心防线，既防止触电风险，又保障设备稳定运行。数字隔离器、隔离驱动、隔离采样与隔离接口等多类器件协同作用，以确保高低压间信号传输与绝缘安全的可靠性。　　纳芯微基于双边增强隔离电容与 Adaptive OOK® 调制技术，构建通过多项国际安规认证的“隔离+”产品体系，为全电压范围与全功率段的光伏与储能系统提供高可靠、高性能的系统级解决方案。本文将聚焦两个方向：一是解析电压升级背景下隔离类器件在绝缘设计与安规标准的最新变化;二是探讨 2000V 与 500+kW 级光储系统中，功率拓扑、驱动与采样架构的技术演进。　　01 面对光储新绝缘安规,隔离类器件耐压、宽度如何变化?　　母线电压升高的原因主要有两点：　　光伏板能力持续增强，输出电压和功率不断提升;　　根据功率公式(P = U × I)，在功率不变的情况下，电压升高可使得电流减小，从而降低导线横截面需求，节省整体系统成本。　　母线电压升高，会导致隔离类芯片的工作电压要求提高。纳芯微在售隔离类器件已经支持最高达2121Vdc工作电压的稳定运行，可帮助实现2000V系统下的基本绝缘。同时，纳芯微已经在开发能力更强的隔离技术，可在更高的Vdc下可靠运行。　　另一方面，防触电绝缘系统的 CLR(绝缘间距)和 CPG(爬电距离)至关重要。CLR 防止瞬态电压产生空气电离或电弧(短期)，CPG 防止在工作电压下产生绝缘击穿或漏电起痕(长期)。一般来说，芯片的宽度需要同时大于等于安规对应用场景下的CLR与CPG的要求。　　随着母线电压升高，绝缘需求增加，常规爬电距离的芯片难以满足安全标准，宽体甚至超宽体设计成为必然选择。目前，纳芯微已有多款基于专利Adaptive OOK®调制技术的宽体与超宽体隔离器件，例如超宽体数字隔离器NSI82xx、超宽体隔离驱动NSI6801EC等，可适用于2kV超高母线电压平台。NSI82xx系列选型表NSI6801功能框图与Pin脚定义　　同时，多款集成隔离功能与隔离供电功能的通讯接口芯片(如RS485 NSI8308xE、CAN NSI1042、NSI1050、NSI1052)也可满足不同应用需求，系统性帮助客户差异化实现系统集成化与低成本。　　02 kV与500+kW：光储场景拓扑与功率器件、驱动、采样如何变化?　　在 600V 至 1500V 进化路径中，组串式系统的 MPPT 级和逆变级拓扑已从 Si 两电平演进成 Si 三电平或 SiC 两电平，系统功率也从 100+kW、200+kW 持续提升至 300+kW。当前，业内针对2000V系统推出的初代组串式光伏逆变器与储能变流器产品普遍已经达到450kW左右。在2000V系统下，大型组串式系统单机功率将快速推进到500+kW级别。　　更高的输入电压和功率要求，将直接影响系统方案设计：　　系统架构上，MPPT数量、串数及单路功率随系统规模不断提升，保证高效能量转化与功率跟踪。　　拓扑结构持续进化，功率器件耐压与通流等级不断提升、驱动方案做出调整。　　近年来，SiC碳化硅器件因其高耐压、高开关速度、低损耗、高过载能力等优势开始崭露头角。随着光伏与储能系统的持续进化与SiC器件的持续普及，下一代的光伏与储能逆变器系统将更为广泛地应用SiC器件。针对SiC特性，纳芯微推出了优化的隔离栅极驱动解决方案(如NSI660x系列)，能够满足系统高压、高效率升级需求。纳芯微同时还提供电流型输入的隔离栅极驱动器(如NSI6801系列)，以高速响应、高拉灌电流能力以及强抗扰能力应对更复杂的电磁环境与设计，确保整机系统的高效稳定运行。纳芯微隔离驱动功能框图　　高压侧电流检测的可靠性与精准度直接影响系统效率与安全。更大的功率带来更高的电流与更具挑战的电磁环境，更先进的功率器件带来更快的暂态特性。这需要电流检测拥有更高的通流、更高的信噪比与抗干扰性、更高的带宽。　　现有光储系统中基于半导体芯片的电流检测方案可分为两类：　　基于霍尔原理的电流传感器，通过磁场耦合实现天然隔离，简化高低压绝缘设计;　　基于分流器的采样方案，需搭配隔离运放或调制器完成电气隔离，但精度更高、非线性度更低、温漂和失调电压特性更优，同时能有效抵御外部磁场干扰，是高精度场景优选方案。　　为应对更大的工作电流，纳芯微霍尔电流传感器NSM201x系列采用隔离的方式将±65A以内的电流转换成线性电压输出，适用于多种隔离电流采样场合，满足光伏组串式逆变器DC输入侧MPPT(最大功率点)跟踪的电流检测。其升级版本NSM201x-P系列今年发布，能显著降低灵敏度误差与漂移、零点误差与漂移，同时大幅提升了EMC(电磁兼容性)抗干扰能力。　　NSM201x-P系列全温度范围内零点误差和灵敏度误差　　批量数据分布情况　　与此同时，在更具挑战电磁环境下，纳芯微NSI13xx系列电流采样芯片提供适配性解决方案：增强隔离型运放NSI1300、NSI1200及Sigma-delta调制器NSI1306可精准用于相电流采样;NSI1311则以高输入阻抗与2V线性输入范围，满足直流母线电压检测需求，为MPPT DC-DC在高压环境下提供可靠信号支撑。　　NSI1311 功能框图　　样品申请　　纳芯微从“隔离”迈向“隔离+”，以全生态产品矩阵构筑系统安全防线。“+”不仅意味着超越基础隔离标准的安全保护，为客户系统打造更坚固的高低压屏障，也代表完整的产品生态——以成熟的电容隔离技术 IP 为核心，涵盖数字隔离器、隔离驱动、隔离采样、隔离接口和隔离电源，实现一站式解决方案，深度赋能大功率光储充系统等核心场景。　　随着母线电压从600V提升至2000V，光伏逆变器面临更高电压应力与功率密度挑战，纳芯微“隔离+”产品矩阵配合 SiC/IGBT 功率器件，为系统在高压环境下提供精准、高效、稳定的运行保障，为光伏与储能系统安全升级提供坚实支撑。
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发布时间：2025-10-29 09:34 阅读量：287 继续阅读>>
<span style='color:red'>纳芯微</span> NSUC1602：电子水泵油泵的高可靠之选
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纳芯微 NSUC1602：电子水泵油泵的高可靠之选

　　纳芯微集成预驱的嵌入式电机驱动芯片 NSUC1602 为新能源汽车电子水泵、油泵提供高可靠嵌入式电机控制 “MCU+”解决方案。该方案不仅适配当前热管理系统集成化需求，更着眼于技术演进趋势，推动“MCU+”芯片技术向更深层次迭代，助力行业突破效率与可靠性瓶颈。　　一、新能源汽车热管理市场高增技术向 “高效集成” 加速迭代　　2025 年国内乘用车热管理市场规模将达 1157 亿元，其中新能源汽车市场规模占比超七成，达 878 亿元，近四年的年复合增长率(CAGR4)高达 45%;预计 2028 年，新能源汽车热管理市场规模将进一步攀升至 1441 亿 - 1546 亿元，成为驱动汽车电子产业增长的核心赛道之一*。　　(*数据来源于一览咨询、申万宏源研究等第三方数据)　　在 “碳中和” 目标下，节能减排成为行业核心导向;同时，消费者对车辆续航里程、安全性能的高要求，推动热管理系统从传统 “分散运行” 向 “高效化、集成化、智能化” 转型。传统燃油车中，空调与发动机冷却系统独立运行，而新能源汽车需统筹三电系统(电池、电机、电控)、空调座舱的热量需求，热管理管路复杂度显著提升，对阀类、泵类、换热器、传感器等核心零部件的集成度与协同效率提出更高要求。　　技术层面，热泵与液冷已成为行业主线。冷媒侧，热泵空调普及速度加快，2023 年 1-9 月新能源汽车标配搭载率达 25.3%，预计 2027 年将突破 60%，技术方案逐步收敛为 R1234yf 冷媒热泵与低功率 PTC 耦合;水路侧，动力系统以液冷散热为主，适配高压大功率平台及芯片算力提升带来的新增散热需求。更关键的是，“打通冷媒路与水路” 的集成化趋势已成定局 —— 通过统筹热量交换，可进一步提升系统效率，这也成为零部件厂商构建核心竞争力的关键壁垒。　　二、国内首颗175℃结温车规电机驱动芯片破解电子泵控核心难题　　针对电子水泵、油泵的高可靠控制需求，纳芯微 NovoGenius® 系列汽车专用“MCU+”芯片的核心产品——NSUC1602 车规级嵌入式电机驱动芯片，凭借全集成、高可靠、强适配的特性，成为行业关注焦点。　　作为国内首颗量产支持175℃结温(AEC-Q100 Grade 0) 的电机控制芯片，NSUC1602 在架构与性能上实现多重突破：　　1. 全集成设计简化系统　　芯片内置 ARM Cortex-M3 内核微控制器(MCU)、LDO 电源管理单元、LIN 收发器及 6 通道栅极驱动器，构建起车用三相直流无刷电机的最小控制系统，大幅减少 PCBA 体积与硬件成本，适配电子水泵(电池包、水冷电机冷却)、电子油泵(油冷电机、车载充电机、电机逆变器散热)等核心场景。　　2. 高可靠与强诊断保障安全　　集成过流、过压、短路、MOSFET 退饱和检测等多重保护功能，同时优化 EMC 性能，满足车规严苛的电磁兼容要求;支持LIN 通讯接口及位置传感器接口，可实现双电阻或单电阻采样的无感控制，适配电子油泵对高转速、长寿命的需求 —— 以 DriveONE 电驱系统为例，采用油冷技术后，电机绕组平均峰值温度降低 30℃，磁钢峰值温度降低 15℃，使用寿命可延长一倍。　　3. 场景化适配平衡效率与成本　　针对电子水泵与油泵的差异需求，NSUC1602 提供灵活解决方案：水泵场景中，可简化冷却回路、降低整体成本;油泵场景中，支持直接冷却转子、加快散热速度，且能与混动变速箱冷却油路集成，突破高转速电机散热瓶颈。目前，该芯片已在海外主流车型实现量产交付，验证了其市场认可度。　　三、“MCU+”技术演进，引领行业方向从 “功能集成” 到 “算法硬件化”　　电子水泵、油泵的发展，也推动“MCU+”芯片技术向更深层次迭代。未来技术将围绕三大方向突破：　　1. 集成化深化　　从单一功能集成向系统级集成迈进，进一步减少零部件数量，实现 PCBA 轻量化，提升热管理系统整体效率，这也是零部件厂商长期成长的核心竞争力所在。　　2. 能量效率优化　　以 “最小能量消耗” 满足整车冷媒路、水路的制热与制冷需求，适配统筹热管理系统复杂度提升的趋势，平衡性能与能耗。　　3.算法硬件化　　当前 BLDC 电机 FOC 控制算法多依赖主控 MCU 算力，未来将逐步 “下放” 至预驱域，通过数模混合技术与硬件深度耦合，实现算法硬件化 —— 此举可解放中央 MCU 算力，同时降低系统噪声、优化成本。目前，已有头部主机厂与 Tier 1 就该方向与纳芯微探讨芯片定制需求，技术趋势已逐步明确。　　四、深耕车规赛道，构建全栈解决方案能力　　作为专注于高性能模拟与数模混合芯片的企业，纳芯微在车规领域已形成深厚积累。自 2016 年推出首款汽车芯片以来，公司车规业务持续高速增长：截至 2025 年上半年，汽车芯片累积出货量超 9.8 亿颗，汽车业务营收占比超三分之一，其中，2025 年上半年就实现了汽车芯片出货 3.1 亿颗，展现出强劲的增长势头。　　产品布局上，纳芯微覆盖新能源汽车八大核心应用领域，包括车身控制与照明、智能网联 / 座舱、底盘与安全、热管理系统等。除 NSUC1602 嵌入式电机驱动芯片外，还拥有电机预驱(NSD3602、NSD3604)、DC 电机驱动(NSD731X)、步进电机驱动(NSD8381)等系列产品;传感器领域，2024 年通过并购麦歌恩完善磁传感器 IP 布局，实现 TMR、AMR、霍尔技术全覆盖，进一步丰富产品矩阵。　　值得关注的是，纳芯微还获得 TÜV 莱茵 ISO 26262 ASIL D “Defined-Practiced” 级别功能安全管理体系认证，成为国内少数完成从 “体系建立” 到 “体系实践” 能力跃迁的芯片企业，为产品可靠性提供坚实保障。　　未来，纳芯微将持续以创新驱动 IC 为核心，围绕新能源汽车热管理等关键领域，深化与产业链伙伴的合作，推动行业向更智能、更绿色的方向发展，助力新能源汽车产业高质量升级。
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发布时间：2025-10-28 14:26 阅读量：264 继续阅读>>
<span style='color:red'>纳芯微</span>电子：ZCU电机驱动芯片怎么选？
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纳芯微电子：ZCU电机驱动芯片怎么选？

　　在电机驱动系统加速迈向高效率、高集成与高可靠性的趋势下，纳芯微面向车身域控、热管理等关键应用，推出覆盖直流有刷/步进/无刷电机，以及继电器、电磁阀、螺线管等多类负载的产品组合，提供从小电流到大电流、从集成驱动到外置MOS智能预驱、从单通道到多通道的全方位解决方案。　　半桥集驱：NSD8308/12　　主要用于驱动空调风门和后视镜调节，以及一些车内指示灯控制。以12通道的半桥驱动芯片为例，一个ZCU最多需要使用9颗。　　半桥预驱：NSD3602/4/8　　主要用于座椅、车门、车窗及尾门的控制，这类应用的电机电流基本都在10A以上，并且对PWM频率也有要求，多路栅极驱动加MOS管的方案配置更加灵活。以8路预驱芯片为例，一个ZCU最多需要使用7颗。　　H桥驱动：NSD731x　　主要用于车锁以及高端车型无边框后视镜的控制，这类应用的电机持续电流在1.5-4A左右。一个ZCU使用的H桥驱动在1-3颗。　　步进电机驱动：NSD8381/9　　一般用于控制ZCU热管理系统中的电子膨胀阀及车灯调光电机。
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发布时间：2025-10-24 15:25 阅读量：321 继续阅读>>
高精度抗干扰，<span style='color:red'>纳芯微</span>推出NSHT30A模拟输出温湿度传感器
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高精度抗干扰，纳芯微推出NSHT30A模拟输出温湿度传感器

　　随着人们对生活品质与环境舒适度的要求不断提升，智能家电与HVAC(采暖、通风与空调)系统正加速向智能化与精密化方向发展。温湿度的精准监测已成为实现高效节能与舒适体验的重要环节。　　为满足不同应用场景需求，继推出数字输出温湿度传感器NSHT30之后，纳芯微再度推出全新模拟输出温湿度传感器NSHT30A，专为高噪声、长距离传输等复杂环境设计。该产品的推出，使纳芯微在温湿度传感器方面实现了数字与模拟接口的全面覆盖，为客户提供更灵活的系统设计选择与更广泛的应用支持。　　在智能冰箱、空调及环境控制系统中，温湿度传感器用于实时监测与调节环境参数，确保保鲜、除菌与舒适控制的精准性。当传输距离较长或电磁干扰较强时，NSHT30A 的模拟输出特性可有效规避信号损耗与干扰，为复杂环境下的稳定检测提供优选方案，助力设备在多种应用场景中保持高精度与高可靠性。　　单芯片集成，简化系统设计　　NSHT30A系列基于CMOS-MEMS工艺，在单芯片上集成了一个完整的传感器系统，包括电容式的相对湿度传感器、CMOS温度传感器和信号处理器以及模拟输出通信接口。该系列采用DFN封装设计，产品尺寸仅为2.5mm×2.5mm×0.9mm，结构紧凑，便于系统设计与集成，适配各类空间受限的集成场景。　　精准测量，稳定输出　　NSHT30A具备2.4V至5.5 V的宽供电电压范围和±4KV的ESD防护等级，能够在多种复杂应用场景下保持稳定输出。该系列产品模拟输出响应速度快，内部完成校准、线性化与放大处理，无需复杂软件驱动库，可直接输出与温湿度呈线性关系的模拟电压，有效规避信号传输损耗与环境干扰，为复杂环境下的检测提供高可靠性与高适配性的解决方案。
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发布时间：2025-10-23 15:51 阅读量：323 继续阅读>>
<span style='color:red'>纳芯微</span>推出集成隔离电源的隔离采样芯片NSI36xx系列：“集成电源+灵活输出+内置保护”，重新定义隔离采样电路
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纳芯微推出集成隔离电源的隔离采样芯片NSI36xx系列：“集成电源+灵活输出+内置保护”，重新定义隔离采样电路

　　纳芯微宣布推出新一代集成隔离电源的隔离采样芯片NSI36xx系列，该系列是纳芯微NSI13xx系列的全面升级，包括隔离电流放大器NSI360x系列、隔离电压放大器NSI361x系列、内部集成比较器和单端比例输出的NSI36C00R/NSI36C1xR系列。　　NSI36xx系列可广泛用于工业电机驱动、光伏逆变器、服务器电源、新能源汽车主驱、车载充电机等高压系统的电流、电压采样，通过集成隔离电源、灵活的输出配置和内置保护功能，帮助工程师在系统设计中支持更高的功率密度，并简化外围电路。　    集成隔离电源：简化系统架构，无需高压侧供电电路　　在一些浮地采样的场景下，使用上一代产品NSI13xx系列的客户需要额外设计隔离电源给高压侧供电，而NSI36xx全系列产品均集成了隔离DC-DC电源，这一设计为客户带来了显著的实用价值：　　✔ 简化供电设计：传统的隔离采样方案需要为高压侧和低压侧分别供电，而NSI36xx系列只需在低压侧提供单一电源即可正常工作，省去了复杂的高压侧供电电路。这不仅减少了电源设计复杂度，还显著缩短了开发周期。　　✔ 节约系统成本：通过集成隔离电源，客户无需再外置独立的隔离电源模块，有效降低了整体BOM成本约10%~20%。同时，节省PCB面积约30%~50%，可使产品实现更小型化的设计，在空间受限的应用中具有明显优势。集成隔离电源的NSI36xx系列在高压侧的供电电路设计　　未集成隔离电源的NSI13xx系列在高压侧的供电电路设计　　单端比例输出：灵活适配系统，优化信号链设计　　NSI36xx系列电压采样和电流采样均提供单端比例输出版本NSI36C1xR，NSI36C00R(尾缀R即代表单端比例输出)，为客户系统设计提供了更大的灵活性：　　✔ 增强系统兼容性：不同的输出配置使客户能够根据具体应用需求选择最合适的产品型号，无论是需要差分输出的长距离传输应用，还是需要单端比例输出的简化设计，都能在NSI36xx系列中找到理想解决方案。　　✔ 简化信号链设计：比例输出架构能够直接与后端ADC匹配，减少了信号调理电路的需求，使系统设计更加简洁。客户无需再为复杂的信号调理电路花费设计资源，且可以利用到ADC满量程输入提高系统采样精度。NSI36C00R比例型单端输出直连ADC　　集成比较器保护：增强系统安全，降低诊断复杂度　　NSI36C1xR，NSI36C00R同时集成内部比较器为终端应用提供了额外的保护功能：　　✔ 实时故障检测：集成比较器可在客户系统中快速地实现过流、过压保护，能够在百纳秒时间内检测到异常状况并触发保护机制，大幅提升系统的安全性和可靠性。芯片内置过压过流电路，并且外部阈值可调，更加灵活，方便客户做逐周期过流保护或快速过压保护控制。　　✔ 简化系统诊断：通过集成的自诊断功能和比较器输出，客户可以轻松实现系统健康状况的实时监测，无需额外设计诊断电路，大大降低了系统复杂度和开发难度。　　封装和选型　　NSI36xx系列提供SOW16封装，全系将支持工规和车规版本。该系列首发型号：工规版本的NSI3600D，NSI3611D，NSI3612D现已量产，支持最高5000Vrms绝缘电压，工作温度范围为-40℃~125℃。支持单端比例输出、集成比较器的后续器件和对应的车规版本将陆续量产。　　丰富的“隔离+”产品，满足多元系统应用需求　　凭借在隔离技术方面的积累和领先优势，纳芯微正以全生态“隔离+”产品矩阵，为高压系统筑造安全可靠的防线：　　“+”代表增强安全：纳芯微“隔离+”产品提供超越基本隔离标准的安全等级，为客户系统构筑更坚固的高低压安全边界。　　“+”代表全产品生态：纳芯微以成熟的电容隔离技术IP为核心，拓展出包括数字隔离器、隔离采样、隔离接口、隔离电源、隔离驱动等完整产品组合，为客户提供隔离器件的一站式解决方案。　　“+”代表深度赋能应用：纳芯微“隔离+”产品可满足电动汽车高压平台、大功率光储充系统，以及高集成、高效率AI服务器电源等场景的核心需求，实现系统级安全、可靠与高效。
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发布时间：2025-10-22 09:53 阅读量：310 继续阅读>>
以高性价比赋能汽车与泛能源，<span style='color:red'>纳芯微</span>发布 NS800RT115x 系列实时控制 MCU/DSP
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以高性价比赋能汽车与泛能源，纳芯微发布 NS800RT115x 系列实时控制 MCU/DSP

　　纳芯微正式推出 NS800RT115x 系列高性价比 MCU，基于 Arm® Cortex®-M7 内核，主频高达 200 MHz，搭载自研 mMATH 数学加速核，集成高速 ADC、精细 PWM、CAN FD、增量式编码器接口以及功能安全模块，可高效处理三角函数、反三角函数、开方、滤波等数学运算，大幅提升实时运算效率，可广泛应用于车身电子与照明、电机驱动器、数字电源等领域，提供符合 ISO 26262 ASIL-B 与 AEC-Q100 Grade 1 标准的型号，为汽车与工业控制应用提供高性能与高可靠的解决方案。　　高性能内核，构筑实时算力基石　　NS800RT115x系列采用 200 MHz Cortex®-M7 高性能内核，内置 8 KB L1-Cache、256KB嵌入式Flash 与总计 80 KB TCM，均支持 ECC 校验，实现核内零等待访问，显著提升实时响应与数据处理效率，为复杂的运行工况提供更高的可靠性。自研mMATH 数学加速核可快速执行三角函数、超越函数、平方根、滤波等复杂运算，为电机控制与数字电源场景提供更强的计算支撑。NS800RT115x系列选型表　　精准控制外设，优化复杂工况响应　　NS800RT115x系列继承NSSine™家族高精准增强控制外设，内置两组 12 位 ADC(最高 4.375 Msps、21 通道)，配合4组模拟比较器与 14路 PWM 输出(其中4个通道输出最高分辨率可达 80 ps)，实现高精度控制，尤其是对异常工况的快速保护响应;丰富的内联关系，能更友好的实现OC/CBC等控制方式，是一款在数字电源、光储逆变、电机控制领域量体裁衣之作。　　升级高速互联，赋能车规级通信　　NS800RT115x系列在通信接口上实现全面升级，除 UART、SPI、I²C、PMBUS、LIN 等标准外设外，新增 CAN FD 控制器，在保持兼容 CAN 2.0B 的同时，实现更高的通信速率与数据吞吐量，更好地满足车载网络与实时控制系统的高带宽需求。　　功能安全可靠，兼顾灵活适用　　产品内置总线监控单元(BGCRC)、多级看门狗、时钟与电源监控电路，支持自诊断与异常检测机制。产品的设计符合 ISO 26262与 IEC 61508等功能安全要求，符合 AEC-Q100 Grade1 标准，为复杂汽车与工业应用提供坚实的可靠性保障。　　此外，NS800RT115x 系列提供 LQFP80/64/48、QFN32等多种封装，满足从高性能控制单元到紧凑型模块的不同设计需求。　　其应用覆盖车身电子与照明系统、电机驱动器、数字电源、光储逆变等泛能源场景，为客户带来高算力、高可靠与高集成度的系统解决方案。　　目前，纳芯微已覆盖高、中、入门三大实时控制产品系列，实现了全供应链国产化要求，通过精准设计和供应链协同，在保证实时控制核心性能的前提下，实现成本优化，促进行业长期发展。
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发布时间：2025-10-20 13:28 阅读量：364 继续阅读>>
<span style='color:red'>纳芯微</span>NSD2017从原理到布线：GaN栅极驱动Layout实战，解锁激光雷达性能跃迁
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纳芯微NSD2017从原理到布线：GaN栅极驱动Layout实战，解锁激光雷达性能跃迁

　　摘要　　激光雷达(Lidar)是一种用于精确测距的激光探测技术。栅极驱动器与GaN器件在最大化激光器发射能力上起到重要作用，为激光雷达带来更高的分辨率。NSD2017是一款适用于激光雷达应用的驱动器，具有强驱动能力、支持极窄脉宽输出以及强抗干扰能力的特点。本文从激光雷达的应用特点出发，介绍NSD2017在应用中PCB设计的注意点。　　01 激光雷达技术概要　　汽车自动驾驶中的激光雷达常采用DToF(Direct Time-of-Flight)测距方式，即通过直接测量激光的飞行时间进行距离测量和地图成像。图一是DToF激光雷达系统的典型结构，信号处理单元通过记录激光发射器发出光脉冲的时刻，以及激光接收器收到光脉冲的时刻，根据时间间隔和光速就可以计算出目标距离。图1 DToF激光雷达系统典型结构　　为实现高分辨率和宽监测范围，需要极窄的激光脉冲、极高的激光脉冲功率以及极高频开关频率，对激光发射器中的功率器件提出了较高的要求。相较于传统的Si MOSFET，GaN器件的快速开关速度以及高脉冲电流能力，非常适合DToF的应用，而GaN器件则需要对应的栅极驱动器进行驱动。以图2典型应用电路为例，低侧驱动器NSD2017驱动GaN器件为激光器提供高峰值电流。其中，激光脉冲越短，电流斜率要求越高，对PCB寄生电感的要求越高。本文从优化驱动回路出发，给出了NSD2017的PCB Layout建议。图2 典型激光雷达驱动电路　　02 驱动回路设计要点　　为减小栅极驱动回路寄生电感对驱动性能的影响，首先需要分析驱动器NSD2017开通和关断GaN器件的回路。图3给出了栅极驱动回路的示意图。图3 栅极驱动回路示意图　　红色曲线为驱动开通回路，当NSD2017输入信号转为高电平时，去耦电容正端经驱动器内部PMOS、驱动电阻至GaN HEMT的栅极，再由GaN HEMT的源极经地平面回到去耦电容负端。蓝色曲线为驱动关断回路，当NSD2017输入信号转为低电平时，电流经GaN HEMT栅极、驱动电阻、驱动器内部NMOS，再经驱动地平面回到GaN HEMT源极。　　栅极回路电感的主要影响有以下几个方面：1)栅极回路电感直接影响开关性能，降低有效栅极驱动速率;2)栅极回路电感与GaN器件栅极电容形成谐振回路，将在GaN器件栅极产生过电压;3)谐振产生的驱动信号将导致器件误开关，这对低阈值电压的GaN器件影响尤为严重。　　为减低寄生电感和器件栅极电容谐振的影响，一般会在驱动器输出增加驱动电阻，NSD2017分裂式输出的特点便于根据驱动开通和关断的谐振表现，灵活调整电阻阻值RG1和RG2。虽然调整驱动电阻可以解决驱动开关过程中遇到的振铃或误开关问题，但减缓了驱动开关速度，从而影响流经GaN HEMT的电流斜率，因此解决开关振铃的最好方法还是减小寄生电感。以此角度，可以从减小栅极回路电感和减小共源电感两个方向出发。　　03 回路寄生电感设计要点　　以驱动开通回路为例，栅极回路的寄生自感可以认为由两部分组成：其一是由去耦电容至驱动器VDD引脚的寄生电感LVDD、驱动器封装电感LN、驱动输出电感LG1和LG、GaN栅极封装电感组成，寄生电感大小与旁路电容、栅极驱动器和GaN的相对位置以及PCB的走线长短粗细有关;其二是由GaN源极封装电感、GaN源极PCB电感LSRC以及地回路电感LGND组成，受GaN封装设计、地回路的处理以及过孔的放置等影响。　　为减小驱动回路电感，有两个方向：　　其一是减小驱动回路走线自感。建议使用短粗走线进行连接。由于面积相同的情况下，长走线的寄生电感大于细走线，长走线宽度增加一倍时，走线电感并不会减半。因此GaN器件与驱动器的相对位置摆放尤为重要。以下图为例，GaN器件栅极紧靠驱动器输出，驱动开通电流路径(蓝色)与返回电流路径(灰色)实现层间平行。　　图4 驱动器与GaN器件摆放　　与栅极关断回路相比，开通回路的寄生电感的减小，还需要考虑电流流过高频去耦电容带来的影响。一般建议在NSD2017靠近供电引脚VDD附近放置大、小容值的两个电容，大容值电容一般为1-2uF用于保持VDD稳定，小容值电容一般为100nF-500nF用于滤除高频噪声。小容值电容使用短粗连线靠近放置VDD引脚附近，如果允许的话，建议使用低自感瓷片电容，如馈通电容等。　　其二是合理利用磁通抵消原则减小寄生电感。比较简单的方式是，观察驱动开通电流路径和返回路径所围面积，面积越小，寄生电感越小。因此，电流返回路径选择开通电流路径紧邻的层，可以最大限度增加电感耦合实现最小化电感。　　04 共源电感设计要点　　栅极驱动电流路径和功率回路电流路径共用器件源极的寄生电感，这部分电感称为共源电感，一般由GaN 器件源极封装电感和源极PCB电感两部分组成。　　共源电感同样需要最小化，且在激光雷达应用中最小化共源电感的优先级高于最小化栅极回路电感。当器件开通和关断过程中，共源电感在开关时刻产生与栅极驱动电压相反的电压，将减缓器件的开关过程，增大开关损耗，影响GaN的电流斜率，从而影响光脉宽信号。　　为减小共源电感对驱动性能的影响，常利用开尔文连接方式将驱动回路和功率回路分开，以减小耦合。目前有商用GaN 器件中集成开尔文引脚，实现栅极电流回路与功率电流回路的解耦，消除了共源电感的影响。图5 器件集成开尔文引脚以消除共源电感影响　　而目前较多低压GaN 器件没有开尔文引脚，可以通过PCB处理将功率回路和驱动回路分开。常见的处理方式如图6所示，选择靠近器件栅极的源极引脚作为驱动回路，其他引脚作为功率回路。图6 利用封装分开驱动回路和功率回路　　为实现最小共源电感，功率地与驱动地之间单点连接，建议将微过孔尽量靠近驱动器和功率器件摆放，如图7所示。图7 建议的微过孔摆放方式　　图8给出NSD2017一种常见的Layout设计，GaN器件中靠近Gate的Source中放置微孔，实现驱动地与功率地的单点连接，同时选用驱动开通电流相近层作为电流返回层，实现回路面积最小。(示例Layout仅2层，用作说明)
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发布时间：2025-10-17 10:52 阅读量：318 继续阅读>>

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